DDR, 333 МГц, 2700 Мб/с, SODIMM 200-контактный, 1 модуль 1 Гб, 2.5 В, CL 2.5 В
DDR3, 1600 МГц, 12800 Мб/с, DIMM 240-контактный, 3 модуля по 2 Гб, 1.65 В, CL 1.65 В
DDR, 400 МГц, 3200 Мб/с, SODIMM 200-контактный, 1 модуль 1 Гб, 2.5 В, CL 2.5 В